En ny form for hvid lysdiode baseret på fluorescerende silicium-karbid (LEDSiC)

Forskningsprojektet LEDSIC udforsker hvordan bølgelængdekonvertering ved hjælp af fluorescerende siliciumkarbid kan bruges til fremstilling af hvidt lys i lysdioder (LED), der tegner til at blive den store belysningskilde på fremtidens marked.

Projektbeskrivelse

Den ledende belysningskilde i fremtidens marked for indendørs såvel som udendørs belysning har vist sig at være lysdioden (LED), grundet dens høje energi effektivitet, gode lyskvalitet, lang levetid, fleksibel design og en hæderlig funktionalitet som signal transmitter via synligt lys. I dette projekt vil en ny type hvidt-lys LED blive udforsket, hvor fluorescerende siliciumkarbid (f-SiC) anvendes som materiale for bølgelængde konverting. Sammenlignet med det typisk anvendte fosfor, indeholder f-SiC udelukkende jord-rigelige materialer og er meget robust. Da gitterkonstanten for SiC har en mindre afvigelse fra GaN sammenlignet med Sapphire, udgøre SiC et bedre substrat for GaN-epilayer. Derfor vil det nye f-SiC baseret hvidtlys LED have bedre lys kvalitet, længere levetid og bedre effektivitet. I dette projekt vil det fulde potentiale af den nye type LED blive udforsket i forskellige niveauer af materialer, device og moduler rettet mod applikationer indenfor belysning og optisk kommunikation baseret på synligt lys. Samarbejdet foregår mellem højtstående videnskabsmænd fra Europa og Kina. Det forventes at den nye f-SiC LED vil promovere en bedre tilpasning af LED teknologien.

Key figures

Periode:
2015 - 2018
Bevillingsår:
2014
Egen finansiering:
1,83 mio.
Støttebeløb:
8,70 mio.
Støtteprocent:
83 %
Projektbudget:
10,53 mio.

Kategori

Fælles overordnet teknologiområde
Energieffektivitet
Projekttype
Forskning
Journalnummer
4106-00018B

Deltagere

Danmarks Tekniske Universitet (DTU) (Main Responsible)
Partner og Økonomi
Partner Tilskud Eget bidrag
Danmarks Tekniske Universitet (DTU) 7.38 mio. 1.42 mio.
Chinese Academy of Science 0.36 mio. 0.05 mio.
Linköping University 0.36 mio. 0.06 mio.
University of Erlangen 0.36 mio. 0.06 mio.
Topsil Semiconductor Materials A/S 0.24 mio. 0.24 mio.

Kontakt

Kontakperson
Haiyan Ou
Adresse

Danmarks Tekniske Universitet
Ørsteds Plads
Bygning 343, rum 210
2800 Kgs. Lyngby

Energiforskning.dk - en fælles informationsportal for energiteknologiske forsknings- og udviklingsprogrammer.

Logo innovationsfonden
Logo for EUDP
Logo for elforsk